我们观察到Si结晶板w.r.t.中855 MeV电子的多重库仑散射的减少。 质量厚度相同的无定形板。 减少归因于完全或部分抑制了晶体中多次散射的相干部分对光束的晶体取向。 在Mainz Mikrotron收集了实验数据，并将其与理论预测和蒙特卡洛模拟进行了严格比较。 我们的结果突出了最大7％的r.m.s. 特定光束与[100]晶轴对齐时的散射角。 然而，在电子束与晶体的大范围对准中记录了部分还原，直至15 $$ ^ {circ} $$∘。 该证据可能与改进当前使用的软件在晶体中的多重散射的建模有