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搜索资源列表

  1. 中国太阳能级硅材料

  2. 介绍中国太阳能级硅材料现状和制备方法

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-07-22
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：yaohw2000

  1. 研究论文-硅材料微细电化学铣削技术研究.pdf

  2. 电化学加工是硅微细加工技术中的一种常用方法，但是直接用于三维加工比较困难，因此提出一种新的硅材料微细电化学铣削加工方法。该方法将电化学加工和铣削加工工艺结合起来，通过电化学加工技术能够实现材料的微量去除，而铣削加工工艺则能够实现三维加工。它利用硅在氢氧化钠溶液中的钝化作用，减少电化学杂散腐蚀。利用加工间隙的电火花放电对钝化膜的破坏作用，限制加工区域。实验表明，微细电化学铣削硅技术能够有效地减少杂散腐蚀，提高加工定域性，能够将电化学杂散腐蚀范围限制在10 μm以内，该方法可用于硅的微细三维铣削加

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-08-07
    • 文件大小：648192
    • 提供者：weixin_39841365

  1. LED有机硅材料.pdf

  2. LED有机硅材料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：560128
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 晶体硅太阳电池设计-硅材料基础

  2. 晶体硅太阳电池设计-硅材料基础。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2013-09-02
    • 文件大小：305152
    • 提供者：u011923801

  1. PECVD对硅材料的钝化作用

  2. PECVD对硅材料的钝化作用 太阳能光伏资料

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-08-17
    • 文件大小：146432
    • 提供者：cjg0527

  1. LED封装用有机硅材料的关键技术解析

  2. 有机硅材料耐热老化性和耐紫外光老化性优良，并且具有高透光率、低内应力等优点，被认为是LED封装用高折射率有机硅材料用最佳基体树脂，也成为近年来功率型LED封装用材料的研究热点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：123904
    • 提供者：weixin_38655496

  1. 基础电子中的硅材料在锂电池中的应用

  2. 随着新能源汽车在实际应用中对续航里程要求的不断提高，目前的材料体系明显已无法满足现实需求，研发新型高能量高性能材料迫在眉睫。目前，硅基材料已成为电池企业和锂电材料商改善负极的最优先选择。现状是发展大部分材料商都展开了对硅碳复合材料做负极材料的研究和生产，目前只有贝特瑞和上海杉杉已进入中试量产阶段，大多数材料商仍处于研发之中。 　　硅碳负极产业化进行时 　　国内前几大负极材料生产厂商陆续对硅碳负极材料进行布局，深圳贝特瑞和江西紫宸已率先推出多款硅碳负极材料产品，上海杉杉正处于硅碳负极材料产业化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38736018

  1. 锗化硅材料导电特性的综述

  2. 摘要：从Si材料到化合物半导体再到SiGe，微电子领域应用对材料提出了很高的要求，而这些材料却具有不断优化的性能，SiGe在高速发射和集成方面有很大的进步，SiGe-HBT等新技术的实验与开发为新材料带来了非常大的应用空间。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-31
    • 文件大小：15360
    • 提供者：jfkj2021

  1. 稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件

  2. 本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性。在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：461824
    • 提供者：weixin_38696143

  1. 硅材料场致等效二阶极化率张量的研究

  2. 具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失,因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。从理论上根据矢量与张量的作用,利用χ(2)eff=χ(3)·E这一关系和张量变换理论系统地阐述了硅材料在内建电场或外加电场的作用下,具体在方向分别沿[111]、[110]和[001]的电场作用下,得到的等效二阶极化率张量χ(2)eff分别与C3v、C2v和C4v点群的二阶极化率张量具有相同的形式,说明在物理性质方面,硅的对称性由Oh群在相应方向电场作用下分别被降低为C3v、C2v和C4v群,因此应该具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：843776
    • 提供者：weixin_38657835

  1. 超短脉冲激光对无机硅材料的损伤

  2. 通过控制作用于材料表面的激光能量和脉冲数量,实验研究了800 nm,50 fs,1 kHz激光作用下融石英玻璃和硅片的破坏机制和损伤规律,计算了材料的损伤阈值与脉冲能量以及脉冲数量的依赖关系,并采用简化的理论模型计算了熔石英玻璃材料的损伤阈值与激光脉宽以及光子能量之间的依赖关系。对这两种无机硅材料在飞秒脉冲作用后的微区结构改变进行了扫描电子显微镜(SEM)测试,研究了其形貌特征。结果表明,硅片是由缺陷中的导带电子作为种子电子引发雪崩电离导致材料损伤,而熔石英玻璃是由多光子电离激发出导带电子引发雪

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：846848
    • 提供者：weixin_38751512

  1. 脉冲激光辐照硅材料引起表面波纹的特性研究

  2. 叙述了激光与材料相互作用过程中引起相干受激光散射的机制,以及形成材料表面波纹的特性。在激光波长1.06 μm、能量15 mJ、光斑直径2 mm、脉冲半峰全宽约10 ns和入射方向为布儒斯特角的条件下,进行了脉冲激光辐照硅材料形成表面波纹的实验研究。在脉冲激光辐照硅材料表面功率密度略大于材料损伤阈值的条件下,发现了硅材料表面形成的平行等间距直线条纹结构。用光学显微镜和原子力显微镜分别测量了被辐照硅材料表面的波纹形貌特征。在假设硅材料表面波纹的产生与声波在材料中的传播速度有关的条件下,由声波传播速度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：966656
    • 提供者：weixin_38655990

  1. 基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅器件的设计

  2. 设计了一种基于绝缘体上的硅材料的全内反射型阵列波导光栅解复用器件. 将一全内反射波导镜引入原弯曲的波导列阵中,该波导镜具有偏振补偿的功能和缩小器件尺寸的特点.在器件数值模拟的基础上,制作了原理性器件,并获得了初步的实验结果.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：139264
    • 提供者：weixin_38527987

  1. 微晶硅材料及其在太阳能电池中的应用

  2. 微晶硅(μc-Si:H)是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性, 器件质量级材料的表征参量, 材料的生长技术, 微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：994304
    • 提供者：weixin_38548434

  1. 脉冲激光对绝缘体上硅材料的损伤机理研究

  2. 绝缘体上硅(SOI)材料的激光损伤特性研究对基于该材料的光学器件在激光环境中的应用具有重要价值。本文使用1064 nm脉冲激光对SOI材料进行了辐照实验,在脉冲宽度分别为190 ps和280 μs的条件下,测得的损伤阈值能量密度分别为2.5 J/cm2和19.8 J/cm2,SOI材料表面的激光损伤模式也存在明显差别。根据实验结果,利用ANSYS软件的热分析模块,采用有限元方法数值模拟了激光辐照结束后SOI材料内部的温度场分布,并结合损伤形貌的观测对SOI材料的激光损伤机制进行了讨论。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38667920

  1. 利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响

  2. 利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：371712
    • 提供者：weixin_38560502

  1. 利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响

  2. 利用霍尔效应研究热退火对黑硅材料电学性质的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：375808
    • 提供者：weixin_38612568

  1. 光斑重叠率对飞秒激光硅材料表面着色的影响

  2. 研究了光斑重叠率对飞秒激光硅材料表面着色的影响。实验结果表明：飞秒激光在硅材料表面着色是由于在其表面诱导出了周期纳米条纹结构；在飞秒激光功率一定的情况下，较高和较低的光斑重叠率都不能实现着色；在选定激光功率范围内，光斑重叠率越大，呈现的颜色越丰富，着色效率越高。另外反射率的测量结果表明着色后样品在可见光范围内反射率下降了50%左右。得到了飞秒激光硅材料表面着色的参数窗口，为飞秒激光半导体着色的推广提供了技术参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：weixin_38569651

  1. 表面等离子激元可提高纳米硅材料的发光效率

  2. 未来高性能处理器中，海量数据的传输是提升处理能力的瓶颈，最为可能的技术途径是基于硅衬底实现电子与光子器件融合的光电集成回路。目前，硅基器件已经能够实现光子的调控、传输和探测，唯有硅光源研究进展缓慢，效率仍然很低(10-5~10-2)。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38726186

  1. 硅材料在锂电池中的应用

  2. 随着新能源汽车在实际应用中对续航里程要求的不断提高，目前的材料体系明显已无法满足现实需求，研发新型高能量高性能材料迫在眉睫。目前，硅基材料已成为电池企业和锂电材料商改善负极的先选择。现状是发展大部分材料商都展开了对硅碳复合材料做负极材料的研究和生产，目前只有贝特瑞和上海杉杉已进入中试量产阶段，大多数材料商仍处于研发之中。 　　硅碳负极产业化进行时 　　国内前几大负极材料生产厂商陆续对硅碳负极材料进行布局，深圳贝特瑞和江西紫宸已率先推出多款硅碳负极材料产品，上海杉杉正处于硅碳负极材料产业化进程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：90112
    • 提供者：weixin_38729221
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