王强，李玉国，石礼伟，孙海波（山东师范大学半导体研究所，山东 济南 250014）摘要：概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法，介绍了其在微电子及光电子领域的应用，并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。 关键词：宽带隙半导体；碳化硅；光电子学1 IntroductionＡｓ ｉｔ ｉｓ ｗｅｌｌ ｋｎｏｗｎ，ｔｈｅ ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ Ｓｉ ａｎｄ ＧａＡｓ ｄｅｖｉｃｅｓ ａｒｅ ｉｎａｐｐｌｉｃａｂｌｅ ａｔ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｂｏｖｅ ２５０ ℃，ａｎｄ ｔ