在本文中，我们利用Ginzburg-Landau有效作用形式，研究了在有限温度和夸克化学势μ的磁性背景B中，夸克物质的手性对称性断裂。 作为计算有效作用的微观模型，我们在手性极限中使用了重新规范化的夸克-介子模型。 我们的主要目标是研究临界终点CP随磁场强度的变化，并研究在有限化学势下逆磁催化的实现。 我们发现，化学势为零时的相变总是二阶的。 对于B的中小值，CP朝较小的μ移动，而对于较大的B，CP向着较大的μ移动。 我们的结果与在有限化学势且磁场值不太大的情况下进行逆磁催化的情况相符，而在较大

我们研究了在一定温度下介子自能的修饰，这是由于介子与嵌入恒定磁背景的低密度，等位旋对称核介质的相互作用。 对于一个回路，对于固定的温度和密度，我们发现pion有效质量随磁场而增加。 有趣的是，对于π-，这仅是由于琐碎的Landau量化位移｜| eB |引起的。 ，因为自能量的实部在这种情况下为负。 在存在其他带电粒子种类并经历类似的琐碎平移的情况下，有效质量的相关行为可能基本上由自能的实部确定。 在这种情况下，我们发现对于磁场| eB |〜mπ2，介子质量降低了约10％，这有利于在高密度和低温