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搜索资源列表

  1. 离子注入技术在试制E_D型MOS集成电路中的应用

  2. 离子注入技术在试制E_D型MOS集成电路中的应用 ，挺稀缺的资源

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-05-12
    • 文件大小：354304
    • 提供者：niuyanhua813

  1. 离子注入的原理与应用

  2. 离子注入的原理与应用，有关半导体技术的应用领域

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-06-21
    • 文件大小：317440
    • 提供者：jsntydx

  1. 离子注入工艺各个参数

  2. 本文以美国EA TON 公司的中束流注入机为例, 阐述了 IC 芯片生产过程中离子注入 工艺如何实现高质量注入; 标准注入参数的调整, 以及实现高速注入所应采取的各种手段, 尽量发 挥离子注入机的潜能, 使中束流注入机也可以注入大束流, 在生产上实现高速机动, 加快了工艺流

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2011-12-14
    • 文件大小：159744
    • 提供者：zhaoxianbo999

  1. 离子注入相关概念及过程

  2. 离子注入PPT解析，离子注入过程、射程分布、剂量等、反冲注入

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-16
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：zxl100889

  1. 钴离子注入单晶二氧化钛磁性来源与微结构研究

  2. 钴离子注入单晶二氧化钛磁性来源与微结构研究，钟火平，李公平，居里温度高于室温的稀磁半导体材料有望用于自旋电子学器件的开发，因此引起各国研究人员的关注。在室温下，能量为80keV，注量为1×1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：563200
    • 提供者：weixin_38590520

  1. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

  2. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响，苏海桥，薛书文，利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜，将能量80keV，剂量1×1017ions/cm2的Ti离子注入到薄膜中，并将注入后的ZnS薄膜进行退火处�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-28
    • 文件大小：517120
    • 提供者：weixin_38548704

  1. Mo离子注入和离子渗硫对TiN涂层微观结构和表面性能的影响

  2. Mo离子注入和离子渗硫对TiN涂层微观结构和表面性能的影响，王成彪，田斌，在物理气相沉积的TiN涂层表面进行剂量为1E18离子/cm2的Mo离子注入，接着采用低温离子渗流技术对Mo离子注入改性后的TiN涂层进行表面后处

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-23
    • 文件大小：704512
    • 提供者：weixin_38567962

  1. 硅片在碳离子注入前后的表层结构研究

  2. 硅片在碳离子注入前后的表层结构研究，洪蜜娜，，选择适当的注入参数，对单晶硅C+注入表面改性。为了便于比较注入参数对改性效果的影响，采用了不同的注入能量和注入剂量制备试样�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-18
    • 文件大小：377856
    • 提供者：weixin_38732277

  1. He离子注入对Cu/Cr和Cu/Nb纳米金属多层膜力学性能的影响

  2. He离子注入对Cu/Cr和Cu/Nb纳米金属多层膜力学性能的影响，朱望波，牛佳佳，Cu/Nb, Cu/Cr纳米金属多层膜具有多界面性和良好的力学性能，能够有效的阻挡入射的辐照离子，并在辐照后保持良好的力学性能。本文中，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38504687

  1. 铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀

  2. 铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀，王磊，项炳锡，采用MeV铜离子注入的方法注入铌酸锂单晶样品，研究了铜离子注入铌酸锂的增强刻蚀特性。利用湿法刻蚀、金相显微镜、扫描电子显微镜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-08
    • 文件大小：366592
    • 提供者：weixin_38750644

  1. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

  2. Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响 ，苏海桥， 薛书文，利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜，将能量80keV，剂量1×1017ions/cm2的Ti离子注入到薄膜中，并将注入后的ZnS薄膜进行退火处�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：535552
    • 提供者：weixin_38688956

  1. 离子注入的铝在Si(100)表面的偏析及其引起的纳米团簇和合金晶粒形成现象的实验研究

  2. 离子注入的铝在Si(100)表面的偏析及其引起的纳米团簇和合金晶粒形成现象的实验研究，高皓，廖龙忠，通过高温退火注入了铝的Si(100)样品，探讨偏析出来的铝在硅表面的热力学行为。由900 oC的退火实验发现，偏析出来的铝原子一方面形成Si

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-05
    • 文件大小：877568
    • 提供者：weixin_38584642

  1. MEVVA钴离子注入ZrCuNiAl大块金属玻璃晶化动力学效应研究

  2. MEVVA钴离子注入ZrCuNiAl大块金属玻璃晶化动力学效应研究，陶平均，杨元政，通过Kissinger和Ozawa方法研究了Zr55Cu30Ni5Al10大块金属玻璃注入Co离子后的连续加热非等温晶化行为。Co离子注入后非晶合金的晶化行为由单级

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-03
    • 文件大小：823296
    • 提供者：weixin_38526421

  1. 热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响

  2. 热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响，周小东，任峰，本文采用离子注入法将Si离子注入到非晶SiO2介质中，并结合热退火处理制备了Si纳米晶。系统研究了热退火条件对Si纳米晶光致发光（PL）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-30
    • 文件大小：906240
    • 提供者：weixin_38685832

  1. 脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝生长速度的影响

  2. 脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝生长速度的影响，严涛，曾宪贤，以猴头菌丝体为实验材料，通过分析N+离子注入后菌丝体的生长速度，研究脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝体的影响。结果表明：脉冲时�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-18
    • 文件大小：294912
    • 提供者：weixin_38608726

  1. 同等剂量W、Mo离子注入对氮化钛涂层表面性能的影响

  2. 同等剂量W、Mo离子注入对氮化钛涂层表面性能的影响，王成彪，田斌，为了进一步改善氮化钛涂层的摩擦学性能，利用金属蒸汽真空弧源(MEVVA)在TiN涂层表面进行等剂量W、Mo离子的注入。采用扫描俄歇系统、�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-09
    • 文件大小：776192
    • 提供者：weixin_38673235

  1. 氦离子注入金属的研究现状

  2. 氦离子注入金属的研究现状，马欣新，李金龙，近年来由于对环境保护的日益关注，金属多孔复合光催化材料的研究成为热点之一。本文综述了惰性气体He注入金属形成纳米级微孔结构�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：572416
    • 提供者：weixin_38562626

  1. Ti6Al4V合金氧离子注入样品表面形貌

  2. Ti6Al4V合金氧离子注入样品表面形貌，李金龙，马欣新，采用等离子体基离子注氧技术（O-PBII）对Ti6Al4V合金进行了表面改性处理，试验过程中注入负脉冲电压分别为10、20、30、40和50kV，离子注�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38750761

  1. MeV氧离子注入镁掺杂近化学剂量比铌酸锂制备平面光波导

  2. MeV氧离子注入镁掺杂近化学剂量比铌酸锂制备平面光波导，王磊，项炳锡，采用不同剂量的4.5MeV的氧离子注入镁掺杂近化学计量比铌酸锂形成平面光波导. 利用棱镜耦合方法和卢瑟福背散射/沟道技术测量波导暗模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：589824
    • 提供者：weixin_38718223

  1. 离子注入与飞秒激光刻蚀相结合制备的Nd:YAG陶瓷脊型波导激光

  2. 离子注入与飞秒激光刻蚀相结合制备的Nd:YAG陶瓷脊型波导激光，贾曰辰，陈峰，我们报道了用氦离子注入和飞秒激光刻蚀技术制备Nd:YAG陶瓷脊型光波导的方法。在室温下，实现了用波长为808 nm激光泵浦的1064 nm连续波�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38741075
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