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  1. 离子注入和激光退火

  2. 近年来，激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状，这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38731027

  1. 激光退火加快存贮集成电路的响应

  2. 加里福尼亚州圣克拉拉的国家半导体公司用连续波激光退火已使随机存取存贮集成电路片的性能提高。虽然几年来激光退火作为“恢复”因离子注入(掺杂)损伤的一种途径有了很大的发展，但公司的此种工作似乎还是首次，他们的处理方法使集成电路的动态特性有了改善。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：837632
    • 提供者：weixin_38504089

  1. 锗的点缺陷激光退火

  2. 近来人们广泛地研究在激光作用下注入半导体中所产生的结构变化。研究者主要力量集中研究注入层从非晶态向晶态的过渡,以及离子注入时产生的辐射破坏的激光退 火。本质的问题是，激光辐射引起半导体的参数变化是多种不同退火机理作用的结果。下面我们给出锗的点缺陷激光退火数据，显然,这些结果可以用离化激活缺陷作用的假设得到解释。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38631738

  1. 聚焦高斯光束光点尺寸的测量

  2. 在半导体工业开发研究领域中，如离子注入损伤的激光退火、激光增强的电镀和水溶液激光蚀刻等，激光已经日益变得不可缺少。实验结果的重复和验证需有一种精确测定激光输出功率密度的方法。聚焦高斯光束的光点尺寸是必须知道的数据。有些研究者已发表了用扫描刀口测量激光光束束腰和发散度的结果。结果是相当好的,但他们实际使用的复杂装置并不总是适用于现有的激光系统。本文介绍一种测量聚焦高斯光束直径的简便方法，其光束来自一台 Quantronix倍频Q幵关Nd:YAG激光刻划系统。该系统很易用到其它激光系统的分析中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38735987

  1. 微微秒激光退火获得的半导体表面衍射光栅

  2. 目前，使用微微秒脉宽的强脉冲激光辐射的离子注入层退火获有重要意义。这不仅取决于与激光退火的物理机理的暴露有关的问题(特别是,非热过程的作用），而且还取决于超短激光脉冲作用于半导体的实际应用新的可能性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：545792
    • 提供者：weixin_38643401

  1. 离子注入半导体的激光退火

  2. 叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用，以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38544625