注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 表面穹顶结构大大增强了硫超掺杂硅的子带隙光吸收

  2. 硫超掺杂硅通常通过硫离子注入和纳秒激光制备退火。它具有光滑的表面和30％的低子带隙吸收率。在这里，我们报道硅晶片的表面在经过上述两个过程处理之前已经化学纹理化，这大大提高了超掺杂硅在子带隙波长下的光吸收率从30％增至70％，从65％增至70％。可见光波长的80％用于形成的圆顶结构的抗反射特性。因此，表面纹理Craft.io将是基于硫超掺杂硅材料进行器件开发的必要步骤。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38565818

  1. 离子注入和激光退火

  2. 近年来，激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状，这种工艺过程对于辐射损伤无定形硅重结晶的重要性以及在半导体物理中的应用前景。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38731027

  1. 用激光可以一步制成太阳能电池

  2. 为了得到实用廉价的太阳能电池，光生伏打工业必须降低制造成本，提高产品率。一种解决办法是使用激光，使加工和退火一步完成。普通硅太阳能电池的制造是用离子注入形成”结，然后用高温炉退火消除晶格损伤,以恢复注入层的电活性。这是一种昂贵、耗能而费时的工艺。与高温炉半小时的退火时间相比，激光退火只需1微秒。更重要的是，激光加工对以取消昂贵的离子注入工序。激光能溶化表面层，驱动液相或汽相掺杂进入晶片或基片的晶格,形成p-n结，并对晶格的损伤退火。所有这些都一步完成。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：669696
    • 提供者：weixin_38724247

  1. 聚焦高斯光束光点尺寸的测量

  2. 在半导体工业开发研究领域中，如离子注入损伤的激光退火、激光增强的电镀和水溶液激光蚀刻等，激光已经日益变得不可缺少。实验结果的重复和验证需有一种精确测定激光输出功率密度的方法。聚焦高斯光束的光点尺寸是必须知道的数据。有些研究者已发表了用扫描刀口测量激光光束束腰和发散度的结果。结果是相当好的,但他们实际使用的复杂装置并不总是适用于现有的激光系统。本文介绍一种测量聚焦高斯光束直径的简便方法，其光束来自一台 Quantronix倍频Q幵关Nd:YAG激光刻划系统。该系统很易用到其它激光系统的分析中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38735987

  1. 离子注入半导体的激光退火

  2. 叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用，以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38544625