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  1. 窄禁带半导体的非线性极化率和光学双稳性

  2. 本文改进了半导体两带模型,计算了窄禁带半导体的非线性极化率.运用所求得的极化率,研究了InSb的光学双稳性,所得到的稳态曲线、临界开关光强与入射光频率的关系以及动态特性都与实验结果有较好的符合.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38501751