通过分子束外延方法，通过精细控制生长参数（例如温度，沉积速率和沉积时间），在Si（110）表面上形成了具有单一取向和大长宽比的MnSi-1.7纳米线（NWs）。 。 扫描隧道显微镜（STM）被用来研究这些参数对西北地区生长的影响。 硅化物React期间每单位时间的游离Si原子供应在NW的生长动力学中起关键作用。 高生长温度和低沉积速率有利于大纵横比的NW的形成。 NW与Si（110）表面的重构行之间的取向关系表明，NW沿硅衬底的方向生长。 高分辨率STM和背散射电子扫描电子显微镜图像表明，NW由