以聚酰亚胺薄膜为靶子,用高电导硅作为衬底,KrF准分子激光器作为辐射光源,利用脉冲激光沉积技术制备出了类石墨薄膜,并以该薄膜为阴极对其进行了场致电子发射特性测试。当阴阳极之间产生放电即发生电形成过程之后,该薄膜的阈值电场从最初的16.9V/μm降到10.8V/μm。当电场为20V/μm时,薄膜场发射的电流密度达到了0.4mA/cm2,发射点密度达到10~3/cm2利用XPS,Raman光谱及扫描电子显微镜对该薄膜的微结构进行了测试分析。