概述 高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯片并获得收益的关键所在。本章将结合影响良品率的主要工艺及材料要素对主要的良品率测量点做出阐述。对于不同电路规模和良品率测量点的典型良品率也在本章中列出。目的 完成本章后将能够：1，指出三个工艺良品率的主要测量点2，解释晶圆直径，芯片尺寸，芯片密度，边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响3，通过单步工艺制程良品率来计算出累积晶圆生产良率4，解释及计算整体工艺良品率5，对影响制造良品率的4个主要方面做出解释6，建立良品率相对时间的曲

在晶圆完成所有的生产工艺后，第一个主要良品率被计算出来了。对此良品率有多种不同的叫法，如Fab良率(Fab Yield)、生产线良率、累积晶圆厂良率或CUM良率。 晶圆厂CUM良率用一个百分比来表示，可通过两种不同的计算方法得到。一种是用完成生产的晶圆总数除以总投入片数。这种简单的计算方法在实际上很少被使用。因为大部分的晶圆生产线同时生产多种不同类型的电路。不同类型的电路有不同的特征工艺尺寸和密度参数。一条晶圆生产线经常是生产一系列不同的产品，每一种产品都有其各自不同数量的工艺步骤和难