GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛, 但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶, 本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响。以高纯GaAs多晶为原料, 设定不同的拉晶温度曲线, 采用窄熔区技术进行晶体生长研究, 最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的向N型掺硅GaAs单晶。利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应