GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构（WZ），而WZ（1010）侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs（1010）的表面弛豫和表面能，计算结果表明：（1010）A表面只出现原子的弛豫现象，表面能为40.6×1020 meV/m2；而（1010）B表面却重构形成了Ga-Ga和As-As二聚体，表面能为63.5×1020 meV/m2。相对于ZB（110）表面，WZ（1010）A面具有更低的表面能，（1010）A表面具有更好的稳定性，说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。