您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. 纳米硅/单晶硅异质结的电学特性

  2. 纳米硅/单晶硅异质结的电学特性,周哲,刘爱民,本文主要研究了i nc-Si:H/p c-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66% 和38%的本征纳�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-12-29
    • 文件大小:521216
    • 提供者:weixin_38500734