在本文中，我们深入研究了拟议的具有纳米结构和高电阻纳米层（nano-L）的纳米接触相变存储器（nano-C PCM），以减少复位电流。 通过将N掺杂到传统的Ge2Sb2Te5相变材料中，可以调节高电阻率。 基于有限元方法的分析表明，纳米C PCM中的电流密度可以局部提高到传统和纳米L PCM器件的两倍。 这导致在纳米C PCM中进行焦耳加热的局部化，使其在三种编程器件中以相同的编程电流具有最高的温度。 纳米C PCM的复位电流可以有效地降低到传统的8.2％，这是因为它具有高效的非晶化加热功能。