IGBT产业链长，技术和工艺壁垒较高 。 设计：  结合中国产业信息网，国内芯片设计厂商主要有中科君芯、山东科达、中航微电子、西安爱帕克、华润上华、深 圳比亚迪、宁波达新、南京银茂、吉林华微等。作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广 泛应用于 家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工 业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电 器、相机和手机。  制造：  结合中国产业信

功率半导体器件包括功率半导体分立器件及功率集成电路，功率半导体分立器件可进一步分为功率二极管、功率晶体管和晶闸管类器件，其中功率晶体管包括MOSFET、IGBT及BJT等具体类型。 IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，由功率二极管、晶闸管、BJT、MOSFET发展而来，其结合了MOSFET和BJT两种器件的优点。BJT特点为通态压降小，载流能力大，但驱动电流较大；而MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合以上两种器件的特点，在通态压降和开关时间之间形成较好平衡，

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双极型三极管） 和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT 可以 实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用。 在结构方面，IGBT 比 MOSFET 多一层 P+区，通过 P 层空穴的注入能够降低器件的导通电 阻。随着电压的增大，MOSFET 的导通电阻也变大，因而其传导损耗比较大，尤其是在高 压应用场合中。相较而言，I