绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。

场效应管是一种带有PN结的新型半导体器件，场效应管与半导体三极管的控制机理不同，它是一种电压控制器件,即利用电场效应来控制管子的电流，故命名为场效应管(用FET表示)。目前场效应管的品种很多，但可划分为两大类，一类是结型场效应管;另一类是绝缘栅型场效应管，又叫金属一氧化物一半导体绝缘场效应管，通常简称为MOS场效应管。    　　同半导体三极管有PNP和NPN两种类型一样,场效应管根据其沟道所采用的半导体材料不同，又可区分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道就是电流的通道。    　　与半导体三极