全光缓存器是未来全光网络中不可或缺的关键器件。针对可控光延迟和光存储的应用需求, 研究了光子晶体波导中慢光传输的外部动态调制。设计了一种新型的聚合物光子晶体波导结构。用平面波展开法仿真得到该波导结构带隙中存在单一的TE导模, 导模带边处的群速度可达10-2c。由于基底聚合物材料具有高电光系数和瞬态的电光响应时间, 且导模慢光传输产生的电磁场局域对电光效应有增强作用, 可在低调制电压的条件下实现对慢光导模的大范围动态调制。数值分析得到在外加调制电压为80 V时导模带边波长的移动幅度达80.8 nm