肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构.其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下.从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级.前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下. 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反

普通硅二极管和肖特基二极管的相同 两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。 普通硅二极管和肖特基二极管区别 区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。 除了型号，普通硅二极管和肖特基二极管在外形上一般没什么区别，但可以测量正向压降

本文将从结构、性能特点等方面，对肖特基二极管和快恢复二极管的区别进行介绍。

肖特基二极管和快恢复二极管到底区别在哪？ 　　快恢复二极管从名称上很好理解，肖特基二极管是以人名命名，由于制造工艺完全不同，是肖特基博士的一个创新。 　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势