据堪萨斯州立大学物琿学副教授康潘（Α. Compann)说，对半导体晶格温度进行的直接测定表明，在脉冲激光退火过程中晶格的温升太低，因而不至于使材料溶化。在与鲁(H. W. Lo)一起进行的实验中,康潘测得，用焦耳/厘米2的488毫微米波长激光辐照时，硅晶体的温升仅为300 ℃,此值远高于此波长下的退火阈值。硅的熔点为1412 ℃。