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搜索资源列表

  1. HPI方式自举在C5402 DSP 芯片上的实现

  2. HPI方式自举在C5402 DSP 芯片上的实现

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-05-07
    • 文件大小：160768
    • 提供者：mkingdom

  1. Rome OS 自举部分代码框架

  2. 这是我整理出来的Rome OS自举部分的框架。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-06
    • 文件大小：553984
    • 提供者：gemini_star

  1. 有关CPU供电NMOS自举驱动电路设计

  2. 本文件讲叙了CPU中有关NMOS自举电路的设计

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-09
    • 文件大小：492544
    • 提供者：chliken

  1. 用两次下载法实现TMS320C6000 DSP系统的自举.pdf

  2. 用两次下载法实现TMS320C6000 DSP系统的自举.pdf

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-01-22
    • 文件大小：233472
    • 提供者：wangdayuno1

  1. 基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自举引导.doc

  2. 基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自举引导.doc

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-01-22
    • 文件大小：155648
    • 提供者：wangdayuno1

  1. TMS320VC33并行自举的两种巧妙实现方法

  2. TMS320VC33并行自举的两种巧妙实现方法 TMS320VC33并行自举的两种巧妙实现方法

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-05
    • 文件大小：585728
    • 提供者：Augusdi

  1. IRF中文资料关于自举电容

  2. 设置自举电容的方法，关于计算电容值等，和防止过冲等方案

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-09-15
    • 文件大小：151552
    • 提供者：jiahengtian

  1. 自举电容选择

  2. 自举电容的计算及选择。 很实用的文档，硬件设计者必看的资料，不下载会后悔哦~

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-31
    • 文件大小：590848
    • 提供者：yang_10987

  1. 单片机自举与外设扩展设计

  2. 本设计利用增强型C8051F340单片机一体实现TMS320VC5416的自举与多种外设扩展，可简化DSP系统外设扩展的硬件设计，提高DSP系统稳定性并降低系统成本。

  3. 所属分类：IT管理

    • 发布日期：2014-04-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：u014642143

  1. STM32微控制器系统存储器自举模式应用笔记

  2. STM32微控制器系统存储器自举模式应用笔记

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2016-08-20
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：charmingsun

  1. STM32™ 自举程序中 使用的 USART 协议

  2. STM32™ 自举程序中 使用的 USART 协议

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2016-08-20
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：charmingsun

  1. STM32Fxxx+存储器自举模式手册AN2606中文

  2. STM32Fxxx+存储器自举模式手册AN2606中文PDF版，找了好久找到的，发上来分享给大家，，，，，，，，，，，，，，

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2017-09-20
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_39839293

  1. 保形自举的五维O（N）对称CFT

  2. 我们研究了五个维度的O（N）对称CFT的保形自举方法，特别着重于当前中心电荷的下限。 对于所有N> 1，该边界都有一个局部最小值，在较大的N限制中，我们建议该最小值在UV不动点处由临界O（N）矢量模型饱和，Fei最近对此问题进行了论证。 ，朱姆比和克莱巴诺夫。 当存在较小的N时，最小值的位置通常与能量动量张量中心电荷的下限的最小值不同。 为了更好地了解这种情况，我们在三个维度上检查了O（N）对称CFT的当前中心电荷的下限以进行比较。 我们在较大的N限制中找到了相似的协议，但较小的N与共形

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-05
    • 文件大小：336896
    • 提供者：weixin_38738272

  1. 边界CFT的功能自举

  2. 我们引入了一种新的方法来研究存在边界的CFT的穿越方程。 我们认为这个方程与广义自由场解有关有一个基础。 对偶基础是一组线性函数，这些函数作用于交叉方程，从而为边界CFT数据提供一组求和规则：函数自举方程。 我们展示了这些等式实质上等效于BCFT引导的Polyakov型方法，并展示了在这种情况下如何解决所谓的接触项模糊性。 最后，功能性自举方程将围绕广义自由场的扰动理论对角化，我们将其用于将ϵ展开中的Wilson-Fisher BCFT数据恢复到order 2阶。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-01
    • 文件大小：899072
    • 提供者：weixin_38661236

  1. AdS / dCFT中的两点函数和边界保形自举方程

  2. 我们在N $$ \ mathcal {N} $$ = 4 SYM的缺陷版本中计算了对受保护标量算子连接的两点函数的主要贡献，该理论对k个单元的D5-D3探针-布雷系统是对偶的 计场通量的变化。 这涉及在理论上消失而没有缺陷的几种类型的两点函数，例如不等角维算子的两点函数。 我们进一步利用算子乘积展开（OPE）和边界算子展开（BOE）（它们是边界保形自举方程的基础）来提取有关缺陷CFT和大约N $$ \ mathcal {N} $的保形数据。 $ = 4 SYM理论无缺陷。 从缺陷理论的一点和两

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-01
    • 文件大小：605184
    • 提供者：weixin_38708841

  1. 自举电路原理分析.pdf

  2. 自举电路的本质 通过电容的反馈 使电路中的电位发生改变，从而改变减少流过电阻中的电流，使得电阻两端的等效电阻、 自举电路的一个应用实例 v=0时，c33DDCCvVVIR ，而2CCKKVvV，因此电容两端电压被充电到32CVIR。 3RC足够大时，3Cv（电容C3两端电压）将基本为常v而改变。这样，当iv为负时，T1导电，kv将由2CCV向更正考虑到3DCKv ，显然，随着K点电位升高，点电位 v也自动升高。因而，即使输出电压幅度升得很高，也有足Bi，使T1充分导电。这种工作方式称为自举，

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-04-25
    • 文件大小：196608
    • 提供者：kamo54

  1. 代数形式的可截断自举方程和临界表面指数

  2. 我们描述了共形自举方程的急剧截断的示例，该自举方程编码的信息比直接数值方法获得的信息要多得多。 自由标量的四点函数在任何空间维度上的三项截断提供了保形块导数之间的代数恒等式，这些保形块导数生成了对其贡献的无限多个主算子的精确谱。 在边界共形场理论中，我们指出自举方程解中的自由参数的出现不是截断的产物，而是反映了由相同方程描述的可渗透共形界面的物理性质。 表面过渡对应于参数空间中的隔离点。 在3d Ising模型的情况下，我们能够找到它们，这要归功于3d边界自举方程的有用代数形式。 事实证明，在3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-06
    • 文件大小：393216
    • 提供者：weixin_38587473

  1. 使用Pion散射幅度自举QCD

  2. 我们考虑具有O（3）对称性和无束缚态的四维散射幅度的S矩阵自举。 我们探索了散射长度的允许空间，该空间参数化了各种散射通道阈值处的相互作用强度。 接下来，我们考虑将这种形式主义应用于介子物理学。 介子的特征是它们是微分耦合的，导致其散射幅度为（手性）零。 在这项工作中，我们探索了手性零位，散射长度值和共振质量值的多维空间。 有趣的是，我们会遇到湖泊，半岛和扭结，具体取决于我们所考虑的复杂多维空间的哪些部分。 基于各种实验和理论预期，我们讨论了QCD似乎位于这些图中的非凡位置。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-05
    • 文件大小：969728
    • 提供者：weixin_38739900

  1. 保形自举的量子算法

  2. 借助于半定规划量子算法的最新发展，我们讨论了保角场理论中数值保形自举的量子加速的可能性。 我们表明，量子算法可能在几个数值自举问题的计算性能上有显着提高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-02
    • 文件大小：714752
    • 提供者：weixin_38618784

  1. 关于二维O（N）玻色子模型的S矩阵自举的注释

  2. 在这项工作中，我们将S矩阵自举最大化程序应用于二维玻色子O（N）可积模型，该模型具有N种质量为m的标量粒子且没有束缚态。 由于在先前的研究中，理论是通过最大程度地限制粒子及其束缚态之间的耦合来定义的，所以主要的问题似乎是找到可以用来定义该模型的其他功能。 取而代之的是，我们认为该可积模型的定义属性是它位于由单一性和交叉约束确定的凸空间的顶点处。 因此，可积模型可以通过最大化任何线性函数来找到，这些线性函数的梯度指向顶点的大体方向，即在由与顶点相交的面的法线确定的圆锥内。 这是应用数学中的一个标准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-02
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38592332
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