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一种高精度自偏置带隙基准源设计
带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统 CMOS带隙基准源电路的分析和总结上 ,基于无锡上华的 015μm混合 CMOS工艺 ,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用 ,并结合一级温度补偿、 电流反馈技术和运放电路 ,设计一款 高电源抑制比、 低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-12-08
文件大小:327680
提供者:
zz269057460
自偏置y结铁氧体环行器
一篇关于环行器的仿真设计翻译,可以参考一下(初学者)
所属分类:
电信
发布日期:2013-10-25
文件大小:917504
提供者:
u012486307
Ku波段自偏置微带双Y结环行器的设计和制作
Ku波段自偏置微带双Y结环行器的设计,具有一定的参考价值
所属分类:
电信
发布日期:2013-10-25
文件大小:322560
提供者:
u012486307
基于simulink的shunt偏置放大电路仿真模型
用matlab simulink自带的simscap库搭建了一个shunt电流采集偏置放大的仿真电路,理论计算公式Vout = (Voffset/(1 + R2/R1 + R2/R3) + Vshunt/(1 + R1/R2 + R1/R3)) * (R5+R6)/R5 , 其中 Vshunt是Rshunt两端的电压。仿真结果符合理论计算。模型供参考,有问题或错误欢迎指出。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-02-28
文件大小:97280
提供者:
vigorshaka
LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计
LDMOS功率放大器的热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效 应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计。实验结果验证了偏置电路 的仿真设计方法的有效性。
所属分类:
专业指导
发布日期:2011-09-02
文件大小:330752
提供者:
xinruixiaozhong
射频前端功率放大偏置电路
偏置电路:有扫描结果可以得到管子工作点的各项参数。为保证管子始终工作在线性放大区,选择直流工作点为VDS=5V,IDS=0.8A,VGS=-0.4V。 由模拟电子技术的知识可得,偏置电路可有两种形式:自偏压电路和分压式自偏压电路。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-17
文件大小:69632
提供者:
weixin_38572960
反激、正激、推挽电路的自偏置同步整流电路
这里给出反激、正激及推挽三种电路的同步整流电路。在正常输入电压值附近工作时,效果十分明显,在高端时,效率变坏而且容易损坏MOSFET。其电路如图1所示。输出电压小于5V时才适用。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-16
文件大小:17408
提供者:
weixin_38642636
偏置时序控制要求,如何让电源不“跑偏”
射频(RF)和微波放大器在特定偏置条件下可提供最佳性能。偏置点所确定的静态电流会影响线性度和效率等关健性能指标。虽然某些放大器是自偏置,但许多器件需要外部偏置并使用多个电源,这些电源的时序需要加以适当控制以使器件安全工作。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:264192
提供者:
weixin_38606169
运用于WLAN射频前端功率放大偏置模块电路设计
有扫描结果可以得到管子工作点的各项参数。为保证管子始终工作在线性放大区,选择直流工作点为VDS=5V,IDS=0.8A,VGS=-0.4V。 由模拟电子技术的知识可得,偏置电路可有两种形式:自偏压电路和分压式自偏压电路。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-26
文件大小:60416
提供者:
weixin_38672815
自偏置低噪放的设计与改进
分析了贴片电容的非理想特性在C波段及以上频率的自偏置电路旁路应用中对低噪放设计的不利影响。分析表明,贴片电容用做自偏置旁路时将严重恶化电路的稳定性和噪声指标。提出了对自偏置电路的改进方法及工艺实现,从而避免了电容对指标的负面影响。为了验证改进电路的优势,采用改进的自偏置电路设计了6 GHz~9 GHz低噪放,实验结果很好地验证了其分析。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:266240
提供者:
weixin_38681736
基于MAX8570的OLED升压变压器电源偏置电路设计
OLED(有极发光二极管),也称为OEL(有机电致发光器件)。这种器件具有自发光、清晰亮丽、轻薄、响应速度快、视角宽、低功耗、成本低廉、制造工艺简单等特点,问世以来一直被视为是继LCD之后最看好的显示器。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-25
文件大小:178176
提供者:
weixin_38587509
PCB技术中的一种BiCMOS工艺的AB类自适应偏置输出级
(1.重庆邮电学院 重庆 400065;2.信息产业部电子二十四所 重庆 400060) 摘 要:介绍了一种采用BiCMOS工艺技术制造的具有较大的驱动能力、转换速率和较低的功耗的AB类输出级。他是利用跨导线性原理实现自适应偏置的AB类输出级。通过对这种结构的工作原理,结构特点的分析,仿真得出电阻负载为2 kΩ,电容负载为100 pF时的最大上升、下降转换速率分别为40 V/μs和30 V/μs;在±15 V的电源下,静态功耗小于10 mW。 关键词:模拟集成电路;跨导线性原理;专用
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-09
文件大小:94208
提供者:
weixin_38671819
电源技术中的基于MAX8570的OLED电源偏置电路设计
引言 OLED(有极发光二极管),也称为OEL(有机电致发光器件)。这种器件具有自发光、清晰亮丽、轻薄、响应速度快、视角宽、低功耗、成本低廉、制造工艺简单等特点,问世以来一直被视为是继LCD之后最看好的显示器。目前,在蜂窝式移动电话、个人助理(PDA)、数码相机等领域中,OLED得到了广泛的应用,但是OLED对电源偏置电路的要求非常严格,一般需要效率高、体积小、重量轻的升压变压器,这种升压变压器还应具有良好的电磁兼容性。 MAX8570是MAXIM公司推出的OLED升压变压
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-08
文件大小:158720
提供者:
weixin_38665944
用于SerDes的低抖动自偏置锁相环
用于SerDes的低抖动自偏置锁相环
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-11
文件大小:710656
提供者:
weixin_38664427
磁场对无自旋交换弛豫状态下工作的原子陀螺仪偏置稳定性的影响
磁场对无自旋交换弛豫状态下工作的原子陀螺仪偏置稳定性的影响
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-06
文件大小:927744
提供者:
weixin_38597533
回程受限小小区网络中负载均衡的自适应偏置方案
回程受限小小区网络中负载均衡的自适应偏置方案
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-03
文件大小:527360
提供者:
weixin_38703866
65nm CMOS的自适应偏置60GHz Doherty功率放大器
提出了一种采用65 nm批量CMOSCraft.io实现的60 GHz Doherty功率放大器(PA)。 设计了一种新颖的自适应偏置网络来动态调整峰值PA的偏置电压,以抵消由于C类偏置条件引起的低跨导。 在60 GHz频率下,人造Doherty PA的漏极效率达到22%,饱和功率为13.2 dBm。 测量结果表明,从57 GHz到64 GHz,在峰值和6 dB后退功率区域分别达到了超过17%和8%的效率。
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-02
文件大小:483328
提供者:
weixin_38724349
基于相干自混频原理的马赫-曾德尔调制器偏置点的监测
提出并实现了用相干自混频方法监测马赫-曾德尔调制器(MZM)零偏置点漂移, 将同一光源所产生的部分未调制光和调制后的光进行混频, 利用混频光功率的最大最小值之比作为监测量监测。相比于监测信号光平均光功率的方法, 可使±5%偏置点漂移下的灵敏度从0.02 dB提高到0.3 dB。利用设计完成的硬件反馈控制系统进行了多次实验, 讨论了影响系统工作的各种因素及相应的解决办法, 结果表明该方法工作有效。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-10
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38514620
基于新型插入网络的0.23mW自偏置电流复用CMOS LC-VCO
基于新型插入网络的0.23mW自偏置电流复用CMOS LC-VCO
所属分类:
其它
发布日期:2021-04-01
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38720978
自偏置磁致伸缩/压电叠层复合材料中非线性磁电响应的理论分析
自偏置磁致伸缩/压电叠层复合材料中非线性磁电响应的理论分析
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-20
文件大小:917504
提供者:
weixin_38663837
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