在芯片的生产过程中，会经历许多次的掺杂、增层、光刻和热处理等工艺制程，每一步都必须达到极其苛刻的物理特性要求。但是，即使是最成熟的工艺制程也存在不同位置之间、不同晶圆之间、不同工艺运行之间以及不同时段之间的变异。有时，这种变异会使工艺制程超出它的制程界限，生产出不符合工艺标准的晶圆，从而严重地影响成品率(Yield)。而任何对半导体工业有过些许了解的人都知道：整个工业对其良品率都极其关注。因此，正确地*估和控制芯片生产过程中的变异显得尤为重要，而研究过程变异的常用方法之一就是过程能力分析。