导读：2014年3月14日--英飞凌科技股份公司（法兰克福股票交易所股票代码：IFX / 美国柜台交易市场股票代码：IFNNY）近日推出200V和250V OptiMOSTM FD,进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET,这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现最可靠的系统，特别是在硬开关应用中，如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制（适用于48-110V系统）和直流/交流逆变器等。 　　提高可靠性，同时节省

导读：2014年3月14日--英飞凌科技股份公司（法兰克福股票交易所股票代码：IFX / 美国柜台交易市场股票代码：IFNNY）近日推出200V和250V OptiMOSTM FD,进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的一代功率MOSFET,这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现可靠的系统，特别是在硬开关应用中，如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制（适用于48-110V系统）和直流/交流逆变器等。 　　提高可靠性，同时节省成本