基于半导体器件的结构和方程，我们分析了薄膜栅极绝缘子（SOI）横向PIN（LPIN）光电探测器的工作原理，并获得了电流-电压模型。 凭借800 nm的膜厚和8μm的沟道长度，我们通过二维（2D）Atlas数值测量和电仿真（包括载流子分布和电流-电压特性）来验证这些模型。 在完全耗尽的条件下，我们的结果预测，在400 nm波长下，内部量子效率高达97％，在1 pA左右的暗电流非常低，而在低电流的情况下，照亮电流与暗电流之间的比率超过10（7）。电压操作。 通过优化光电探测器的性能，我们的模型在光学