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搜索资源列表

  1. 薄膜物理（PDF格式）

  2. 薄膜材料方面的书籍，重点介绍薄膜的制备方法和薄膜性质

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-28
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：zhanyj110

  1. 薄膜物理与技术--论文

  2. 薄膜因其特殊的性质而具有与其他材料不同的制备方法和表征方法。薄膜物理技术自产生以来，也因其诸多方面的优越特性，而得到飞速的发展和广泛的应用。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-01-01
    • 文件大小：230400
    • 提供者：quzhanzhan

  1. 5.薄膜技术 王力衡 1991

  2. 一本不错的有关薄膜化学与物理特性的书，专业人士可以下载看看

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-18
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：ruoguo

  1. 基于光纤湿度传感器的物理模型材料温湿度耦合研究

  2. 为了获得矿山开采物理模型的湿度,研制出一种采用聚酰亚胺薄膜材料涂敷的光纤布拉格(Bragg)光栅湿度传感器。提出了聚酰亚胺溶液与光纤Bragg光栅的耦合方法,采用提拉法涂敷制作湿度监测的光纤Bragg湿度传感器(PFBG),进行湿度范围20%~90%RH的标定。物理模型材料在环境温度35℃,湿度35%~65%条件下的试验,得出了增湿和降湿过程中内部湿度达到相对平衡的稳态时间,以及引起的温度变化规律。试验表明,增湿过程,模型内部温度和湿度达到稳态的时间相近;降湿过程,模型内部湿度达到稳态的时间是温

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-09
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38729336

  1. 有机聚合物与氧化锌纳米颗粒（棒）共混复合材料的光物理特性研究

  2. 有机聚合物与氧化锌纳米颗粒（棒）共混复合材料的光物理特性研究，冯林，徐伟龙，本工作研究了有机-无机纳米复合材料体系--P3HT与不同浓度（15%和30%）ZnO纳米颗粒/棒共混材料薄膜--的光物理特性。稳态光致发光谱显示�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：568320
    • 提供者：weixin_38705252

  1. 铁磁薄膜中圆偏振光感应的瞬态磁光Kerr峰的物理起源研究

  2. 铁磁薄膜中圆偏振光感应的瞬态磁光Kerr峰的物理起源研究，陈达鑫，陈志峰，使用飞秒时间分辨抽运-探测磁光克尔光谱技术，实验研究了圆偏振光抽运面内磁化FePt和垂直磁化GdFeCo薄膜的磁化演化动力学，发现在时�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：282624
    • 提供者：weixin_38611508

  1. 脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射制备纯钛薄膜影响的研究

  2. 脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射制备纯钛薄膜影响的研究，景凤娟，尹太磊，高功率辉光放电的表面改性方法是一项很有希望应用在工业上的物理气相沉积技术。高功率辉光放电峰值能量和金属离子的密度较高。本

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-15
    • 文件大小：696320
    • 提供者：weixin_38624183

  1. 物理气相沉积法制备薄膜的内应力形成机理及测量方法

  2. 物理气相沉积法制备薄膜的内应力形成机理及测量方法

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-05-02
    • 文件大小：308224
    • 提供者：u010537760

  1. 岛状薄膜电导

  2. 本课件是薄膜物理课程中关于岛状薄膜电导的热电子发射理论的介绍。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-11
    • 文件大小：423936
    • 提供者：jy19920302

  1. 薄膜制备技术 试验.ppt

  2. 薄膜制备技术 试验.ppt 真空技术在二十世纪得到迅速发展，并有广泛的应用。二十世纪初，在真空获得和测量的设备方面取得进展，如旋转式机械泵，皮氏真空计，扩散泵，热阴极电离真空计的发明，为工业上应用高真空技术创造了条件．接着，油扩散泵，冷阴极电离真空计的出现使高真空的获得及测量取得一大进展．五十年代，真空技术进入超高真空时代，发明了B-A规，离子泵，涡轮分子泵．近二十年来，高能加速器，受控热核反应装置、空间技术，表面物理，超导技术笋，对真空技术提出了更新，更高的要求，使真空技术在超高真空甚至极高真

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-02-23
    • 文件大小：537600
    • 提供者：zeweizhuren

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第八章物理气相淀积

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第八章物理气相淀积 8.1 PVD概述 8.2 真空系统及真空的获得 8.3真空蒸镀 8.4溅射 8.5 PVD金属及化合物薄膜

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zhifj86

  1. 元器件应用中的TDK新型超薄软性RFID标签运用高性能的薄膜晶体管

  2. TDK株式会社和株式会社半导体能源研究所宣布成功携手开发出用于贴装在软性基板上的RFID标签集成电路（UHF波段和13.56MHz）的技术。该技术运用了高性能的薄膜晶体管来实现RFID集成电路和软性基板的整合。 　　近年来，网络信息处理技术的发展日益迅猛，RFID系统也日益普及。RFID是一项使用无线电波来发送和接受数据的非接触式的技术，将在生产过程合理化及其提速等方面发挥重大作用。 　　使用传统硅片生产出来的LSI芯片问题重重，例如厚度过厚，或无法承受弯曲之类的物理压力。两家公司携手开发了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38656395

  1. PID调节器对制备纳米钛薄膜的重要作用

  2. 方昕1，方仁昌2（1.中国工程物理研究院工学院，四川 绵阳 621900；2.中国工程物理研究院电子工程研究所，四川 绵阳 621900）摘要：简述了IBAD（离子束辅助沉积）法制备纳米钛膜的过程中，关键工艺因素是如何将衬底温度维持在一个适当的范围，并运用PID（比例积分微分）调节器较好地实现这一要求的。 关键词：纳米钛膜；衬底温度；PID调节器中图分类号：TH861；TF823 文献标识码：A 文章编号：1671-4776（2003）12-0022-021引言纳米钛薄膜的晶粒尺寸直接影响到它的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：92160
    • 提供者：weixin_38728277

  1. 溅射法制备纳米薄膜材料及进展

  2. 贾 嘉（中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083）摘要：溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点，成为获得高性能纳米材料的重要手段。本文介绍了离子束溅射和磁控溅射技术的基本原理、方法及其在制备纳米材料中的应用和优点，以国内外这方面的最新进展。文章最后对我国纳米材料今后的应用及发展前景进行了展望。 关键词：溅射法；纳米薄膜；材料制备 中图分类号：O484.1 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2004)07-0070-041 引言 微电子器件发展的小型化趋势引导

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：116736
    • 提供者：weixin_38693967

  1. 薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）

  2. 薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较高压力的热量，从而产生了更可再现的薄膜，其中薄膜厚度可以通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高，密度更高，并且能够生长更高品质的绝缘体薄膜。PVD处理使用通过某种电能气化的固体前驱体金属。然后将气

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：jfkj2021

  1. 薄膜中去除材料的技术

  2. 在半导体器件的制造中，蚀刻是指将选择性地从衬底上的薄膜中去除材料的技术（在其表面上有或没有先有结构），并通过这种去除在衬底上形成该材料的图案。该图案由耐蚀刻工艺的掩模限定，该掩模的产生在光刻中详细描述。一旦放置好掩模，就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了此过程的示意图。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-06
    • 文件大小：909312
    • 提供者：jfkj2021

  1. 基于物理的非晶氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压模型

  2. 基于物理的非晶氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压模型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-15
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38725119

  1. CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能

  2. 在氩气和氧气混合气氛下,近空间升华法制备了CdTe多晶薄膜。薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运,有助于获得结构致密具有良好光电性质的CdTe薄膜。分析了近空间沉积的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,讨论了升温过程、气压与薄膜的初期成核的关系。结果表明,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe。此外,还有CdS和SnO2∶F衍射峰。CdTe晶粒随气压增加有减小趋势;随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动。采用衬底温度500

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：931840
    • 提供者：weixin_38562725

  1. AlN缓冲液对6H-SiC衬底上生长的GaN薄膜物理性能的影响

  2. 在这项研究中，通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上制备了具有AlN缓冲层的1.5微米厚的GaN膜。 为了确定AlN缓冲液的生长条件对GaN薄膜的晶体质量和应力状态的影响，进行了两个系列的实验。 通过优化AlN缓冲液的生长条件，GaN薄膜的（0002）半峰全宽和摇摆曲线分别提高到136和225 arcsec。 获得具有0.332nm的小均方根粗糙度的光滑表面，并且观察到优异的光学性质。 同时，在一定程度上通过增加AlN缓冲层的生长温度和厚度来降低GaN膜中的位错密度和拉伸应力。 此外，通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-03
    • 文件大小：786432
    • 提供者：weixin_38508497

  1. 基于白光干涉的光学薄膜物理厚度测量方法

  2. 设计了一套利用白光干涉理论测量薄膜厚度的系统, 主要包括迈克耳孙白光干涉系统和光纤光谱仪。对干涉信号进行频域分析, 结合拟合测试与理论能量曲线的方法并选择合适的目标函数, 进一步精确反演得到待测薄膜样品的物理厚度, 使用上述方法对多组不同厚度的薄膜样品进行计算, 并对结果进行了详细的精度及误差分析。将本实验装置测试所得到的数据与传统的光度法相比较, 结果表明使用该测试方法测量光学薄膜物理厚度的误差可以小于1 nm。与传统的光度法和椭偏法相比, 提供了一种测量光学薄膜厚度的较为简单、快速的解决方案

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38641111
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