在通过弯曲的硅晶体偏转180 GeV / cπ+介子束的实验中，观察到通道颗粒的多次散射大大降低。 通道粒子由于多次散射而引起的RMS挠度约为非通道粒子的RMS挠度的六倍。 结果表明，最近建议使用随机晶体取向的实验数据描述通道颗粒的多重散射的方法与该实验相当吻合。