静态随机存取存储器（SRAM）市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码（ECC）的16Mb低功耗异步SRAM已开始出样。全新MoBL （More Battery Life,更久电池续航） SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。 　　背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的

静态随机存取存储器（SRAM）市场赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码（ECC）的16Mb低功耗异步SRAM已开始出样。全新MoBL （More Battery Life,更久电池续航） SRAM的片上ECC功能可使之具有水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。 　　背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC