赛普拉斯半导体公司日前宣布，其铁电随机存取存储器（F-RAM）产品系列中的1Mb并行异步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封装方式，其2 Mb串行外设接口（SPI）F-RAM的温度范围扩展为-40℃至 +105℃。 　　新封装方式可在替代标准的电池供电的SRAM时实现管脚兼容，应用于工业自动化、计算、网络和汽车电子应用中的关键任务系统中。F-RAM与生俱来的非易失性可以实现瞬间数据捕获，无需电池即可实现长达百年的保存时间。弃用电池可以降低系统成本和复杂性。2 Mb SPI F-RAM

赛普拉斯半导体公司日前宣布，其铁电随机存取存储器（F-RAM）产品系列中的1Mb并行异步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封装方式，其2 Mb串行外设接口（SPI）F-RAM的温度范围扩展为-40℃至 +105℃。 　　新封装方式可在替代标准的电池供电的SRAM时实现管脚兼容，应用于工业自动化、计算、网络和汽车电子应用中的关键任务系统中。F-RAM与生俱来的非易失性可以实现瞬间数据捕获，无需电池即可实现长达百年的保存时间。弃用电池可以降低系统成本和复杂性。2 Mb SPI F-RAM