单晶硅几乎是每种近代半导体电子器件的心脏部分。制造这种器件需要经过一系列复杂的工艺步骤，其中包括引进少量杂质以调整所要求的电学特性。目前，这种工艺的中心环节之一涉及在炉子里加热到1000 ℃,时间达30分钟左右。然而，最近几年发展了一种全新的热处理工艺技术。与传统的工艺相比，这种方法是用短脉冲强激光辐射只加热器件的表面层，而不是加热整个硅片。这种新颖的工艺为生产新型层状器件结构开辟了广阔的前景。另外，也为基本材料研制工作的提高提供了更多的机会。

脉冲激光退火技术从2074年问世以来一直被认为是一种热处理方式。皮秒范围内的超短脉冲退火可以用热模型解释。飞秒或脉宽更短的超短脉冲激光可以直接通过电子激发来实现晶格结构的改变，在低于熔点的情况下完成退火。超短脉冲激光退火属于非热模型退火，是一种新型的退火方式。主要介绍了两种退火模型的基本原理，概括了超短脉冲激光退火发展的历史和现状，并分析了其未来的研究趋势。