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资源分类
搜索资源列表
关于趋肤效应的详细解释通俗易懂
关于趋肤效应的解释,适用于初学者,讲得很浅显易懂。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-03-03
文件大小:14336
提供者:
iamsamhero
钢板的趋肤深度
运用comsol对钢板的趋肤深度的仿真,频率1K到10k区间的。以及测试线的统计
所属分类:
其它
发布日期:2013-04-08
文件大小:10485760
提供者:
wtyjune
matlab电磁波趋肤深度程序
描述电磁波趋肤深度的程序,可以模拟电磁波在到体内的趋肤深度
所属分类:
管理软件
发布日期:2015-04-23
文件大小:295
提供者:
beiyuwang111
煤岩介质中无线通信频率及衰减机制研究
为给矿井煤岩体介质中无线传感器网络技术开发提供理论依据,基于麦克斯韦方程,建立了煤岩体介质中电磁信号衰减模型,采用理论分析和数值计算方法,得到煤岩体介质中电磁波的合理通信频段、衰减系数及趋肤深度等参数。结果表明:煤岩体的电性参数、孔隙率、温度、湿度是影响电磁信号衰减的主要因素;为保证电磁波在煤岩体介质中良好的传输性,通信频率≤1MHz;在单一有耗煤岩体介质中,电磁信号衰减系数大小为无烟煤>褐煤>肥煤>焦煤>贫煤,石灰岩>泥岩>粗砂岩>砂岩>细砂岩;
所属分类:
其它
发布日期:2020-05-17
文件大小:406528
提供者:
weixin_38622467
信号完整性B010:铜走线的趋肤效应.pdf
高频电流流过导体时,电流会趋向于导体表面分布 种现象就是趋肤效应。频率越高 电流几乎只分布在导体表面上薄薄的一层 导线和矩形导线上高频电流分布情况 为什么会有这种现象呢 振幅会急剧衰减,最终导致电流密度随着深度增加急剧下降 趋肤深度用来描述电流在多大程度上接近导体表面 场强 1/e 的深度。可以表示为 铜导体的趋肤效应 电流会趋向于导体表面分布,越接近导体表面电流密度越大 频率越高,电流就越集中在导体表面,可以想象,当频率足够高时 电流几乎只分布在导体表面上薄薄的一层,导体内部几乎没有电流。
所属分类:
互联网
发布日期:2020-04-13
文件大小:272384
提供者:
qq_37881886
鱼机参数计算器单机版.rar
软件介绍: 用于计算鱼机参数,3525频率电容电阻值,计算出震荡频率输出驱动频率,单个脉冲宽度及导通宽度。TL494频率计算,CT电容RT电阻值,震荡输出频率,漆包线的直径根数及截面,工作频率趋肤深度。位压电容输出功率带载电压,额定脉冲频率HZ.计算电容容抗和电感感抗。
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-02
文件大小:344064
提供者:
weixin_38744207
不同材料趋肤深度的计算
计算了不同金属材料在高频下的趋肤深度,分析了频率对信号传递的影响
所属分类:
制造
发布日期:2015-08-13
文件大小:257024
提供者:
minamoto2sheep
开关电源变压器公式
精简的高频变压器计算公式 步骤1.高频变压器线径的确定根据公式D=1.13(I/J)^1/2可以计算出来,J是电流密度,不同的取值计算出的线径不同.由于高频电流在导体中会有趋肤效应,所以在确定线经时还要计算不同频率时导体的穿透深度.公式:d=66.1/(f)^1/2 如果计算出的线径D大于两倍的穿透深度,就需要采用多股线或利兹线 例如:1A电流,频率100K.假设电流密度取4A/mm^2 D=1.13*(1/4)^1/2=0.565mm Sc=0.25mm^2 d=66.1/
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-12-26
文件大小:32768
提供者:
yao376396584
表面等离子体极化尺度
提出了在表面等离子体激元中的四种尺度,包括SPP的波长、SPP的传播距离以及趋肤深度等。
所属分类:
制造
发布日期:2011-11-01
文件大小:305152
提供者:
ritaparadise
为什么说电路中的电阻和截面成反比
电路中电阻和截面积的确成反比,但是,在某些情况下,自由电子又会趋近于导线表面运动,这时的电阻和截面不完全成反比。 电流流过导线存在稳定阶段和变化阶段。 单根导线,相当于匝数为0的电感线圈,既然是电感线圈,就会存在自感电动势。 然而自感电动势总是阻碍原电流的变化,所以就会影响导线中的自由电子运动分布。 当导线电流发生变化时,越靠近导线截面圆心自感磁通量越大; 所以越靠近导线截面圆心自感电动势越大,引起自由电子趋近于导线表面运动。这种现象就叫做‘趋肤效应’,效应的强度就是‘趋肤深度’。 通过上面的探
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:198656
提供者:
weixin_38643401
电源技术中的电源设计小贴士26:高频导体的电流分布
本《电源设计小贴士》中,我们将研究自由空间及缠绕结构中导体的有效电阻。图 1 显示了第一个例子。其为自由空间中单条导线的横截面,其携带的是高频电流。如果电流为 直流,则显示为不同颜色的电流密度全部相同。但是,随着频率的增加,电流朝导体外部移动,如红色和橙色所示。这种拥挤情况被称为趋肤效应。透入深度被定义为外表面到电流密度降至外表面电流密度 1/e 的那个点的距离。就铜而言,深度为: 其中 f 单位为兆赫,而深度单位为 cm。 图 1 高频下电流向外表面聚集 图 2 显示了自
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-03
文件大小:173056
提供者:
weixin_38752074
基础电子中的磁场的屏蔽
在磁场屏蔽中,低频磁场是很难屏蔽的一种电磁波。首先,“低频”意味着趋肤深度很深,吸收损耗很小;“磁场”意味着电场波的波阻抗很低,相应的反射损耗也很小。而屏蔽是由吸收损耗和反射损耗构成的,因此,当这两部分都很小时,总的屏蔽效能也很低。另外,磁场的多次反射所造成的泄漏也是不容小视的。 为了改善低频磁场屏蔽效能,可以使用导磁率较高的材料,以增加吸收损耗。但是,导磁率高的材料通常导电性不是很好,这会降低反射损耗。对于磁场而言,反射损耗已经很小,主要是靠吸收损耗,因此还是能够改善屏蔽效能的。但需要注
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:41984
提供者:
weixin_38617615
反常趋肤效应理论研究
借助等离子体色散函数.在傅里叶变换的基础上,建立了描述高强度超短脉冲激光与稠密等离子体作用中正常及反常趋肤效应的简化物理模型。采用此模型,等离子体中激光场的幅度可用电导显含地表示.正常及反常趋肤效应可用一个方程描述。与文献相比,此模型计算量大大减小,且物理意义较为明晰。对相同的参数,计算结果与文献一致,对文献未曾研究过的参数区域(比如靶层深处).计算发现,即使对不随速度变化的碰撞频率,由于反常趋肤效应.激光场的穿透深度也明显增大。此外.还研究了碰撞频率对反常趋肤效应的影响。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-11
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38601311
基于激光干涉烧蚀的硅表面微纳结构制备研究
基于纳秒激光双光束干涉烧蚀技术,辅助利用湿法腐蚀技术,并结合时域有限差分法,从实验和理论上分析研究了硅表面不同周期微纳结构的制备和形成机制。结果表明:波长为355 nm的纳秒激光,可在硅表面干涉烧蚀出600 nm以上周期的微纳结构;结构深度随功率或曝光时间的增加而加深,最大深度可达到激光的趋肤深度约50 nm;结构周期在曝光时间大于5 s时发生劈裂减半,最小可以得到300 nm的周期;通过时域有限差分(FDTD)的理论模拟发现,已形成结构对干涉光场的调制是结构劈裂的最主要原因。这些研究将在表面周
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-25
文件大小:7340032
提供者:
weixin_38500709
微波频段纳米金属薄膜的表面电阻的大讲解
由于微波频段存在趋肤效应,导致微波器件导体内的电流通常集中在表面微米级的厚度内,这是大家所熟知的概念。依据这一原理,业界通常采用下述方法来改善微波器件的损耗,同时降低器件成本:在导体表面(比如铝合金)沉积厚度约为数个趋肤深度的良导体层(比如镀金、镀银)。这一原理也同样应用在改善微波无源器件的无源互调性能方面:低互调器件通常采用镀银表面。 为了衡量导体材料的损耗性能,人们定义了表面电阻R的概念: 换句话说,表面电阻反比于电导率与趋肤深度之乘积
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:195584
提供者:
weixin_38625416