采用辉光放电等离子体增强化学气相沉积(GP-CVD)技术在低温条件下合成了高品质的亚微米金刚石薄膜,并通过对合成过程的实时发射光谱诊断确定了[CH4-H2]系统参与金刚石合成反应的主要荷能粒子.对合成过程的研究表明:采用这种技术能使电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)合成高品质金刚石薄膜的温度从850 ℃降至(340±5) ℃;薄膜低温合成中的主要荷能粒子为CH3、CH,CH+、H*等,其中过饱和原子氢保证了高品质金刚石薄膜的合成;根据光诊断和探针测量的结果推断近表面辉光放电可在基片表面形成电