气体源分子束外延系统已生长出InP基高铟含量In0.83Ga0.17As光电探测器结构，其晶格失配高达2.1％。 生长并证明了使用连续分级和分级分级InxAl1-xAs缓冲结构的光电探测器。 通过原子力显微镜，高分辨率X射线衍射，光致发光和器件性能的测量研究了缓冲方案的效果。 结果表明，通过使用连续分级的InAlAs缓冲液已经实现了光电探测器结构的完全弛豫。 具有连续渐变缓冲层的光电检测器结构可实现出色的光学性能和更低的暗电流。 （C）2015 Elsevier BV保留所有权利。