在这项研究中，金属-半导体-金属（MSM）肖特基紫外（UV）光电探测器基于c轴首选取向的氧化锌（ZnO）膜，该膜是通过射频（RF）磁控溅射技术在石英基板上制备的。 MSM器件退火后，光电探测器的响应度大大提高。 同时，由实验引起的暗电流的增加伴随着退火温度的升高。 结合暗电流和响应性的观察，初步讨论了其起源。 根据金属-半导体接触理论和扩散效应，提出了连续退火的物理机理。 通过该模型，来自电极的金原子在退火过程中在肖特基势垒中起着重要作用。 这些结果表明，通过使器件退火，可以容易地实现改善光电检