采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜，用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分，用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构, 并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700 ℃高温退火处理后仍为非晶态，而在900 ℃高温退火处理后出现晶化。采用Tauc-Lorentz (TL)色散模型对测试得到的曲线进行拟合并分析得出薄膜的光学常数，结果表明，薄膜的折射率随退火温度的升高而增加，而消光系数随退火温度的升高呈降低趋势