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  1. 适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计.doc

  2. LDMOS以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS已成为3G手机基站射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38744435

  1. 适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

  2. LDMOS以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。本文将在基本LDMOS的基础上，通过器件结构的改进来提高LDMOS的抗击穿能力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-08
    • 文件大小：186368
    • 提供者：weixin_38516190

  1. 一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

  2. 文中设计的LDMOS器件主要是在耐压特性上做了改进，相对于RESURF技术、漂移区变掺杂、加电阻场极板、内场限环等技术而言，具有工艺简单，可控性强 的优点。其较高的抗击穿能力可适用于射频集成电路，如移动通信基站。当然，若将此器件应用于基站，还需要考虑射频LDMOS的其它电学特性，使器件的各个参数达到作为基站功率放大器的要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-29
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550137

  1.  一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

  2. 提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38562725