通过选择性区域外延（SAE）进行的III–V半导体多量子阱纳米线（MQW NW）对于开发用于光通信，硅光子学和量子计算等应用的纳米级发光器件非常重要。 为了获得高效的发光器件，不仅高质量的材料，而且对其生长机理和材料特性（结构，光学和电学性质）的深刻理解也至关重要。 尤其是，通过SAE嵌入在NW结构中的MQW的三维生长机理预计与在平面结构中或通过催化剂生长的MQW的三维生长机理不同，并且尚未进行深入研究。 在这项工作中，我们揭示了通过SAE金属有机气相外延（MOVPE）技术生长的InGaAs /