设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料，并利用超高真空表面净化工艺与（Cs,O）激活工艺对其进行了光电阴极制备。紫外光谱响应测试结果表明，所制备的GaN紫外光电阴极在透射式工作模式下具有明显的“门”字响应，最高量子效率15％，与反射式光谱响应曲线相比，透射式阴极的总体响应幅度较低，长波响应阈值向短波推移。最后从阴极材料结构、外延水平及阴极制备工艺方面分析了所得的实验结果。