摘要：设计并实现了一种bipolar工艺下的高精度带隙基准电路，通过Hspice验证，具有2.28×10-6 K-1的温度系数，在△V=10V的宽电源电压幅度范围作用下，具有1.2mV/V电源抑制特性及直流PSRR=79dB的高电源抑制比。     关键词：带隙基准源；温度系数；电源抑制比     引言     电压基准广泛地应用在模拟电路中，在A/D、D/A的集成电路设计中，也需要基准来确定其输入或输出的全程范围。随着电路系统的不断复杂化，对基准源的要求也越来越高。尽管MOS器件的许多