演示了两步制备SiGe / Si异质纳米结构的方法，该方法结合了超高真空化学沉积和电化学阳极氧化技术。 获得具有相当均匀的尺寸和形态分布的均匀分布的纳米结构。 观察到来自纳米结构的强室温光致发光，其半峰宽为约110meV时具有狭窄的全宽度。 已经详细讨论了大约1.6 eV和1.8 eV处两个主峰的可能起源。 事实证明，两步法是一种有前途的制造新型硅基光电材料的方法。 ？ 2009爱思唯尔BV