为了提高GaN基发光二极管（LED）的光输出功率，本文开发了两种新型的腐蚀性液体来使LED的铟锡氧化物（ITO）电流扩散层的表面变粗糙。 结果，纹理化的透明ITO层大大提高了LED的外部量子效率。 假设将晶片样品浸入我们开发的一种腐蚀性液体中仅约60 s，与传统的GaN基LED相比，LED的光输出功率可提高24.7％。 显然，所提出的方法简单，快速且具有成本效益。