在本文中，我们演示了一种新方法，该方法采用全息方法结合晶体各向异性蚀刻技术来制造厘米级，致密且垂直的侧壁绝缘体上硅（SOI）模具。 全息方法可以在大面积内制作窄的密集和多条连续线，而晶体学各向异性蚀刻可以消除侧壁上的线边缘粗糙度（LER），并使侧壁接近原子级的平滑度。 因此，SOI模具的线宽将具有高度均匀性，并且侧壁将在厘米长度上是光滑且垂直的。 与普通的NIL模具相比，SOI模具的光滑且垂直的侧壁在NIL后忠实地印制了SU-8形成的多厘米长的流体通道，具有光滑且垂直的侧壁，并通过独立式优化了密