我们报道了一种金属辅助化学刻蚀方法来制造排列良好的硅纳米线（SiNWs）。通过在阳极氧化的氧化铝（AAO）上真空蒸发获得高度有序的金（Au）网格。结果表明，通过调节金网Kong尺寸和刻蚀时间，可以分别控制硅纳米线的直径和长度。我们发现，通过蚀刻5分钟制造的SiNW垂直取向以形成阵列，而更长的蚀刻持续时间导致SiNW聚集成束。所得的SiNWs具有光滑的侧壁，均匀的直径和高的长宽比，被证明沿着硅的[100]晶体方向生长。