控制菲涅耳带的形状是在X射线光学器件中实现高效成像的有效方法。 尽管在10纳米分辨率方面取得了重大进步，但封接效率仍然是一个巨大的挑战。 特别地，从电子束光刻的角度来控制用于使区域成形的抗蚀剂轮廓，迄今为止，报道极为有限。 我们的工作重点是通过一种称为图案邻近效应校正的方法来最优化最外面区域的抗蚀剂轮廓，以使抗蚀剂中的暴露电荷均匀化。 我们的研究表明，光刻条件可以刻意控制区域形状和占空比。 对于Au中的100 nm区域板，这项工作既实现了高达20/1的纵横比，又实现了0.9至1.7的占空比。 这