采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法在InP衬底上低温生长6个周期的InGaAsP多量子阱薄膜, 薄膜对1.06 μm激光的小信号透过率为23%。该薄膜兼作Nd∶YAG激光器的可饱和吸收体及耦合输出镜, 实现1.064 μm激光的被动锁模运转, 获得平均脉宽23 ps, 能量15 mJ的单脉冲序列。采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备4个周期的Si/SiNx多量子阱薄膜, 样品在氮气环境下以1000 ℃退火30 min后, 插入Nd∶YAG激光器腔内, 实现1.064 μm激光的被动锁模, 获
