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  1. 采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

  2. 设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-20
    • 文件大小:78848
    • 提供者:weixin_38590996
  1. 采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

  2. 设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益。设计采用UMC 0.18 μm工艺,后仿真显示:在1.8 V供电电压下,LNA的直流功耗约为9.45 mW,电路的最大增益约为23 dB,3 dB频带范围为0.1 GHz~1.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB~5 dB;在1 V供电电压下,电路依然能够保持较高的性能。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-17
    • 文件大小:350208
    • 提供者:weixin_38625448