电源电子迁移（Power Electromigration，Power EM）检查在高性能芯片设计中起重要作用。在Voltus进行电源网格分析时，由于在每个标准单元的电源网格视图（Power Grid View，PGV）生成过程中通常只抽取一个电流接入点（tap），从而流入每个标准单元的电流都聚集到一点。但对于大尺寸标准单元, 电流实际上是分布到各个接触孔而非集中到一点，因此Power EM结果比实际情况悲观很多。本文描述了一种新的方法，即只对在关键路径上使用并具有高翻转率的大型时钟单元抽取多电