我们研究了飞秒激光光刻在重n掺杂绝缘体上硅晶片上制造的无结纳米线晶体管表面累积层中的电导率特性。 当栅极电压比平带电压更正时，累积区域的电导率被完全抑制。 在积累层中提取的低场电子迁移率估计为1.25 cm2V1s1。 随时间变化的漏极电流。在6 K下测得，可预测带隙内Si-SiO2界面处存在复杂的陷阱态。 由于存在大密度的界面带电陷阱而产生的大库仑散射，可以很好地描述积聚层的受抑制的漏电流和相当低的电子迁移率。 界面态的电荷俘获和散射效应成为电子在积累区中迁移率降低的主要原因。