我们研究了在重掺杂Al的ZnO（AZO）薄膜在生长过程中的光学性能和电子结构的变化，这些薄膜的形成是通过首先在富含O-2-的气氛中创建Zn空位，然后在其中填充Zn原子来形成的。锌蒸气气氛。 第一步之后，高电阻AZO薄膜具有与名义上未掺杂的ZnO相同的光学带隙，这表明尽管Al原子被掺入了ZnO晶格中，但基本带隙的变化几乎可以忽略不计。 在第二步之后，一旦自由电子通过Zn填充进入晶格，由于带填充效应，光学跃迁能发生蓝移。 X射线吸收精细结构测量表明，Zn填充过程减少了导带的未占据状态，但没有提高导带