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  1. 显示/光电技术中的SEED器件微区光反射谱测量

  2. 反射型SEED光调制开关列阵，要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用。器件 工作时，光垂直于器件表面从P区入射，经过多量子阱i区时，一部分光被i区吸收，透射过i区的光被底部DBR高反 射层反射，又经过多量子阱i区吸收后，到达器件表面。但由于顶部的GaAs与空气介面对光强的反射率为30％，光 将在顶部GaAs／空气界面和底部DBR高反射层之间多次反射，构成了ASFP腔。分析表明，只有当从器件表面反射到 空气中的光与ASFP腔中吸收又被底部DBR反射到空气中的光相位相反且振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：102400
    • 提供者：weixin_38668274

  1. 基于布拉格间隔量子点层的全光偏振转换

  2. 提出了一种布拉格间隔全光开关，量子点集成在其中用作活动层。 一维光子晶体理论与透射矩阵方法，我们研究了基于交流斯塔克效应的反射率阻带和开关效应。 这该开关的反射阻带可以被抑制或恢复，圆二色性和圆偏振控制光会引起双折射，从而导致明显的偏振开关效果。 这种开关结构显示出降低泵浦光需求的巨大优势强度，对比度高于同期布拉格间隔量子阱的对比度，特别是理论上，开关可在室温下使用。 因此，我们预测存在巨大的前景它在高速光通信中用作全光交换。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：655360
    • 提供者：weixin_38728183

  1. 基于电子自旋弛豫全光开关中的瞬态特性

  2. 设计了基于电子自旋弛豫的透射式全光开关模型,该光开关具有开关时间短、结构简单、光学非线性强等特点。研究在右旋圆偏振光抽运下GaAs/AlGaAs半导体多量子阱(MQWs)中以相空间填充(PSF)和库仑屏蔽(CS)为主要因素导致的激子吸收饱和行为,计算与抽运光同向(探测光与抽运光的圆偏振方向相同)和反向(探测光与抽运光的圆偏振方向相反)的圆偏振探测光吸收系数的变化,得到两种圆偏振光差分透射率改变量随延迟时间的变化。实验采用飞秒抽运-探测技术,获得了室温下GaAs/AlGaAs多量子阱同向圆偏振探测

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：1001472
    • 提供者：weixin_38695773

  1. 含负折射率缺陷的光量子阱的透射特性及理论模拟

  2. 利用转移矩阵方法对含负折射率缺陷的一维光子晶体量子阱结构的透射特性进行了研究。结果表明,当缺陷为偶数个时,结构透射谱中有两个透射峰;当缺陷为奇数个时,透射谱中只有中心处一个透射峰,且随着缺陷层数的增加,该处峰的品质因子逐渐提高。因电磁波在缺陷处的强烈局域,所以阱中局域态的透射率对缺陷的折射率有很强的依赖作用。通过控制入射光的强度可使缺陷的折射率发生微小的改变,进而使局域态的透射率发生明显改变,这样就可制作高效光开关。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：594944
    • 提供者：weixin_38656142

  1. 基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关

  2. 提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关.分析了弛豫速率γ21对光开关的影响.这种半导体弱光开关是半导体超晶格材料共振隧穿作用导致的子带跃迁的Fano干涉的结果.由于半导体结构与材料可以人为地选择,相干强度可以控制和改变,这种半导体弱光开关比采用原子系统更实用.这也是一种在半导体材料中实现一束光控制另一束光的方法.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38696339

  1. 量子阱结构光开关

  2. 光开关与半导体激光器和接收元件一起构成光集成回路的三要素，东京工业大学工学部的末松安晴教授等人，提出利用半导体量子阱结构制作可实现超小型、超音速幵关的全反射型光开关的方案。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38637764

  1. SEED器件微区光反射谱测量

  2. 反射型SEED光调制开关列阵，要求多量子阱结构在激子吸收波段的光反射特性具有良好的电场调制作用。器件 工作时，光垂直于器件表面从P区入射，经过多量子阱i区时，一部分光被i区吸收，透射过i区的光被底部DBR高反 射层反射，又经过多量子阱i区吸收后，到达器件表面。但由于顶部的GaAs与空气介面对光强的反射率为30％，光 将在顶部GaAs／空气界面和底部DBR高反射层之间多次反射，构成了ASFP腔。分析表明，只有当从器件表面反射到 空气中的光与ASFP腔中吸收又被底部DBR反射到空气中的光相位相反且振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38657984

  1. SEED智能像素器件的工作原理

  2. SEED器件利用超晶格量子阱二维自由激子吸收在外电场作用下的非线性变化，通过外部反馈元件的正反馈作用可 实现光双稳功能；通过多量子阱电吸收及电色散效应，可对光强进行调制，从而实现光调制开关功能。量子阱的 室温激子效应及其很强的可饱和吸收特性和量子限制Stark效应是自电光效应器件的物理基础。 　　SEED器件一般采用pln结构，其中i区为多量子阱吸收区，工作时与一定负载连接并施加反向电压。SEED器件采用 pin结构，一方面是为了抑制暗电流的产生，使电路中的工作电流主要来自吸收区产生的光吸收电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38670700